消息称三星成功突破低良率难关，3nmGAA制程如期量产

三星电子此前表示将在本季度开始采用3GAE工艺量产但之前有消息称三星3nm良率只有20 ~ 30%，可能会拖累量产进程，引发业界担忧

据电子时报报道，业内传出消息，三星3nm良率问题已经解决，3nm GAA工艺将如期量产。

在芯片生产方面，他还表示，5nm工艺已经进入量产的成熟阶段，而4nm芯片的产能也将很快开始提升虽然4nm工艺初期的产量扩张有所延迟，但现在正专注于稳定，进入预期的产量提升曲线

他还说:通过改进3nm工艺的节点开发系统，三星现在每个开发阶段都有一个验证过程他强调，这将有助于缩短产量的上升期，提高盈利能力，并确保更稳定的供应

在接下来的3nm节点上，三星比TSMC更激进，决定放弃FinFET晶体管技术，在全球推出GAA晶体管技术，而TSMC的3nm技术仍将基于旧技术。

三星此前表示，GAA是一种新型环绕栅晶体管，MBCFET采用纳米级器件制造，可以显著增强晶体管性能。

三星表示，与7nm制造工艺相比，3nm GAA工艺的逻辑面积效率提高了45%以上，功耗降低了50%，性能提升了35%左右理论上，它优于TSMC的3纳米FinFET工艺

三星3纳米芯片将于第二季度开始量产

三星承认爬坡4nm产能有延迟，但目前节点不存在产能问题